Transistores FET - GM Electrónica

Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados Gate (puerta), Drain (drenador) y Source (fuente). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.

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Código	Canal	Ic (A)	Vceo (V)	Pd (W)	Encapsulado	Conexiones [123]
Código	Canal	Ic (A)	Vceo (V)	Pd (W)	Encapsulado	Conexiones [123]
2N7002D	N	0.12	60	2.0	SMD SOT-23	GSD
BF966 (dual)	N	0.02	20	2.0	SMD SOT-103	---
MMBFJ309	N	0.03	25	3.0	SMD SOT-23	DSG
40841	N	0.05	18	3.0	TO-18	DSG
2N4220	N	0.02	30	3.0	TO-18	DSG
2N4416	N	0.02	30	3.0	TO-18	SDG
2N4092	N	0.02	40	18.0	TO-18	SDG
2N4091	N	0.03	40	18.0	TO-18	SDG
2N4856A	N	0.05	40	4.0	TO-18	SDG
2N4391	N	0.15	40	18.0	TO-18	SDG
2N4339	N	0.00	50	3.0	TO-18	SDG
2N4340	N	0.00	50	3.0	TO-18	SDG
J110	N	0.01	25	3.0	TO-92	DSG
J210	N	0.02	25	4.0	TO-92	DSG
2N5486	N	0.02	25	3.0	TO-92	DSG
J309	N	0.03	25	4.0	TO-92	DSG
J308	N	0.06	25	4.0	TO-92	DSG
J310	N	0.06	25	3.0	TO-92	DSG
J270	P	0.00	30	3.0	TO-92	DGS
2N5640	N	0.01	30	3.0	TO-92	DSG
2N5951	N	0.01	30	3.0	TO-92	GSD
2N5639	N	0.03	30	3.0	TO-92	DSG
2N5638	N	0.05	30	3.0	TO-92	DSG
J111	N	0.02	35	6.0	TO-92	DSG
2N5460	P	0.01	40	3.0	TO-92	SDG
2N5463	P	0.01	60	3.0	TO-92	SDG
ECG326	P	0.01	60	3.0	TO-92	SDG
2N7000	N	0.20	60	4.0	TO-92	SGD
VN10LP	N	0.27	60	6.0	TO-92	DGS
2N7008	N	0.50	60	1.0	TO-92	SGD
BSS88	N	0.25	240	1.0	TO-92	SDG