SIHG47N60E Pedir presupuesto Categoría: Transistores Mosfet Información adicional Información adicional MOS - Canal N MOS - Corriente Id (A) 47 MOS - Tensión Vds (v) 650 MOS - Potencia Pd (W) 357 MOS - Resistencia Rds(on) (Ohms) 0.064 MOS - Encapsulado TO-247 Productos relacionados BTS100 (TEMPFET) 2SK2147 2SK904 IRFD210